导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):150pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |