导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):150pF@25V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 150pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |