反向传输电容(Crss):8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):75pF@25V,连续漏极电流(Id):320mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 700mW | |
输入电容(Ciss) | 75pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 320mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |