反向传输电容(Crss):3.6pF,导通电阻(RDS(on)):9.5Ω@2.4V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):40V,栅极电荷量(Qg):3.65nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,类型:-,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):72pF,输出电容(Coss):11pF,连续漏极电流(Id):240mA,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5Ω@2.4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 40V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.65nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 72pF | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |