反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):60Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):450V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):15pF,连续漏极电流(Id):100mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.38/个 |
| 10+ | ¥8.21/个 |
| 30+ | ¥8.09/个 |
| 100+ | ¥7.97/个 |
| 102+ | ¥7.97/个 |
| 104+ | ¥7.97/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.3324
2000 PCS/盘
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