反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.38Ω@13V,3.2A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):24.8nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:-,耗散功率(Pd):29.2W,输入电容(Ciss):584pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):14.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.26mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.38Ω@13V,3.2A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 29.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 584pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.26mA |