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STP12NM50
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STP12NM50
- 商品编号
- C2688579
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.0048千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):350mΩ@10V,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):5V@50uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@50uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.66/个 |
| 10+ | ¥8.98/个 |
| 30+ | ¥7.92/个 |
| 100+ | ¥6.85/个 |
| 500+ | ¥6.36/个 |
| 1000+ | ¥6.15/个 |
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