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STP6N80K5
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STP6N80K5
- 商品编号
- C2688556
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.0024千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):0.7pF@100V,导通电阻(RDS(on)):1.6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):5V@100uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
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