导通电阻(RDS(on)):4.3mΩ@10V,90A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):176nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):11570pF@25V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V,90A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 176nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 11570pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |