HUF76419D3ST实物图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

HUF76419D3ST

扩展库
品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
HUF76419D3ST
商品编号
C3290928
商品封装
TO-252(DPAK)
商品毛重
0.000437千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):45pF,导通电阻(RDS(on)):0.043Ω@5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):900pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)45pF
导通电阻(RDS(on))0.043Ω@5V
工作温度-55℃~+175℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)27.5nC@10V
漏源电压(Vdss)60V
类型N沟道
耗散功率(Pd)75W
输入电容(Ciss)900pF
输出电容(Coss)250pF
连续漏极电流(Id)20A
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

0.603 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车