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HUF75307D3ST
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- HUF75307D3ST
- 商品编号
- C3290906
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000437千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V,13A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@20V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):250pF@25V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,13A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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