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STD36P4LLF6
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD36P4LLF6
- 商品编号
- C222110
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.0007千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):180pF,导通电阻(RDS(on)):0.029Ω@4.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):2850pF,输出电容(Coss):270pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.029Ω@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 2850pF | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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