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FQD5P10TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD5P10TM
- 商品编号
- C903739
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.00037千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):1.05Ω@10V,1.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):250pF@25V,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V,1.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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