反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,38A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@4.5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):3980pF@25V,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,38A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 140W | |
输入电容(Ciss) | 3980pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 42A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |