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NVD5C632NLT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVD5C632NLT4G
- 商品编号
- C398047
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000375千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):36pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):78nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):115W,耗散功率(Pd):115W,输入电容(Ciss):5700pF,连续漏极电流(Id):155A,连续漏极电流(Id):155A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 输入电容(Ciss) | 5700pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
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