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IPD30N06S215ATMA2
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD30N06S215ATMA2
- 商品编号
- C151543
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000481千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):167pF,导通电阻(RDS(on)):14.7mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):1485pF,输出电容(Coss):464pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):4V@80uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.7mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 1485pF | |
| 输出电容(Coss) | 464pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@80uA |
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