温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD6N50TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD6N50TM
- 商品编号
- C462730
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.00037千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):13.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.9Ω@10V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.6nC@400V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):89W,输入电容(Ciss):940pF@25V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9Ω@10V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@400V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
5.75 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车