上升时间(tr):70ns,下降时间(tf):40ns,传播延迟 tpHL:160ns,传播延迟 tpLH:225ns,工作温度:-45℃~+125℃,工作电压:17V,拉电流(IOH):400mA,灌电流(IOL):650mA,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):1.1V,输入高电平(VIH):1.8V,静态电流(Iq):350uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpHL | 160ns | |
| 传播延迟 tpLH | 225ns | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 17V | |
| 拉电流(IOH) | 400mA | |
| 灌电流(IOL) | 650mA | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 静态电流(Iq) | 350uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥18.35/个 |
| 10+ | ¥15.66/个 |
| 30+ | ¥13.97/个 |
| 100+ | ¥12.25/个 |
| 500+ | ¥11.47/个 |
| 1000+ | ¥11.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.27
100 PCS/盘
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