上升时间(tr):220ns,下降时间(tf):25ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:8V~48V,灌电流(IOL):-,特性:短路保护(SCP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.7V,输入高电平(VIH):3.5V,静态电流(Iq):1.9mA,驱动通道数:1,驱动配置:高边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 220ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 8V~48V | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.7V | |
| 输入高电平(VIH) | 3.5V | |
| 静态电流(Iq) | 1.9mA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 高边 |