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SPA21N50C3
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- SPA21N50C3
- 商品编号
- C167104
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00302千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):0.19Ω@10V,13.1A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):95nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):34.5W,输入电容(Ciss):2400pF,输出电容(Coss):1200pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@1000uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.19Ω@10V,13.1A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 34.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2400pF | |
| 输出电容(Coss) | 1200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1000uA |
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