反向传输电容(Crss):46pF,导通电阻(RDS(on)):0.18Ω@10V,10A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):123W,输入电容(Ciss):805pF,输出电容(Coss):240pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 46pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.18Ω@10V,10A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 123W | |
输入电容(Ciss) | 805pF | |
输出电容(Coss) | 240pF | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |