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HY3210P
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HY3210P
- 商品编号
- C110583
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00282千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):508pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,60A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):237W,输入电容(Ciss):4922pF,输出电容(Coss):902pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 508pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,60A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 237W | |
| 输入电容(Ciss) | 4922pF | |
| 输出电容(Coss) | 902pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.84/个 |
| 10+ | ¥3.09/个 |
| 50+ | ¥2.72/个 |
| 100+ | ¥2.35/个 |
| 500+ | ¥2.13/个 |
| 1000+ | ¥2.01/个 |
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