反向传输电容(Crss):241pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):4635pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 241pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 4635pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.06/个 |
| 10+ | ¥3.27/个 |
| 50+ | ¥2.87/个 |
| 100+ | ¥2.48/个 |
| 500+ | ¥2.25/个 |
| 1000+ | ¥2.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.6404
50 PCS/盘
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