导通电阻(RDS(on)):0.7Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):45W,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.7Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |