反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):13.8mΩ@10V,16A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,类型:-,耗散功率(Pd):98W,输入电容(Ciss):2000pF,输出电容(Coss):330pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V@0.5mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V,16A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF | |
| 输出电容(Coss) | 330pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.5mA |