反向传输电容(Crss):330pF,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@10V,26A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):58W,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):880pF,连续漏极电流(Id):49A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 330pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@10V,26A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 58W | |
输入电容(Ciss) | 2900pF | |
输出电容(Coss) | 880pF | |
连续漏极电流(Id) | 49A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |