导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):68V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.79/个 |
| 10+ | ¥3.07/个 |
| 50+ | ¥2.61/个 |
| 100+ | ¥2.25/个 |
| 500+ | ¥2.04/个 |
| 1000+ | ¥1.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.4012
50 PCS/盘
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