反向传输电容(Crss):560pF,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):99nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):5600pF,连续漏极电流(Id):170A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 560pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 输入电容(Ciss) | 5600pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |