反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):530mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.7nC@10V,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):194.5W,输入电容(Ciss):980pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 耗散功率(Pd) | 194.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.226/个 |
| 10+ | ¥1.0808/个 |
| 50+ | ¥1.0136/个 |
| 100+ | ¥0.935/个 |
| 500+ | ¥0.902/个 |
| 1000+ | ¥0.879/个 |
| 2000+ | ¥0.868/个 |
| 4000+ | ¥0.862/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0136
50 PCS/盘