导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):90W,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |