反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1400pF,输出电容(Coss):590pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1400pF | |
| 输出电容(Coss) | 590pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |