反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):16.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):1080pF,输出电容(Coss):267pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 1080pF | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥17.26/个 |
| 10+ | ¥14.58/个 |
| 30+ | ¥12.37/个 |
| 100+ | ¥10.65/个 |
| 500+ | ¥9.87/个 |
| 800+ | ¥9.53/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.441
800 PCS/盘
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