反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):17Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):400V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):15W,输入电容(Ciss):300pF@25V,输出电容(Coss):12pF,连续漏极电流(Id):500mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |