反向传输电容(Crss):355pF,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):116nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):8225pF,输出电容(Coss):775pF,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 355pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 输入电容(Ciss) | 8225pF | |
| 输出电容(Coss) | 775pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥20.95/个 |
| 10+ | ¥17.98/个 |
| 50+ | ¥16.22/个 |
| 100+ | ¥14.44/个 |
| 500+ | ¥13.62/个 |
| 1000+ | ¥13.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.9224
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