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STY100NM60N
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STY100NM60N
- 商品编号
- C17561196
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.006558千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.029Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):330nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):9600pF@50V,连续漏极电流(Id):98A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.029Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 输入电容(Ciss) | 9600pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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