反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):0.034Ω@10V,37A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):84nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):3260pF,输出电容(Coss):640pF,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.034Ω@10V,37A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 190W | |
输入电容(Ciss) | 3260pF | |
输出电容(Coss) | 640pF | |
连续漏极电流(Id) | 75A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |