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RU1Z200Q
扩展库- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 厂家型号
- RU1Z200Q
- 商品编号
- C155493
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008425千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):630pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):390nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):600W,输入电容(Ciss):12800pF,输出电容(Coss):1420pF,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 630pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 390nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 输入电容(Ciss) | 12800pF | |
| 输出电容(Coss) | 1420pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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