反向传输电容(Crss):171pF@400V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,32.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):136nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):4740pF@400V,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 171pF@400V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,32.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4740pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |