反向传输电容(Crss):17.1pF@50V,导通电阻(RDS(on)):240mΩ@10V,9A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):62.3nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):240W,输入电容(Ciss):3.871nF@50V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.1pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 输入电容(Ciss) | 3.871nF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |