反向传输电容(Crss):530pF,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):285W,输入电容(Ciss):6500pF,输出电容(Coss):890pF,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 530pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,40A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 285W | |
输入电容(Ciss) | 6500pF | |
输出电容(Coss) | 890pF | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |