反向传输电容(Crss):275pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,45A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,类型:-,耗散功率(Pd):188W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):480pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 275pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,45A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 188W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 480pF | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |