反向传输电容(Crss):23pF@25V,导通电阻(RDS(on)):450mΩ@10V,6.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):2130pF@25V,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 23pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,6.5A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 2130pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |