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IPP057N08N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPP057N08N3 G
- 商品编号
- C386350
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002955千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5.7mΩ@10V,80A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):150W,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@90uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V,80A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@90uA |
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