反向传输电容(Crss):0.12nF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):2.05nF,输出电容(Coss):0.16nF,连续漏极电流(Id):55A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.12nF | |
导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 85W | |
输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
输出电容(Coss) | 0.16nF | |
连续漏极电流(Id) | 55A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |