导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):224nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):-,输出电容(Coss):1315pF,连续漏极电流(Id):140A,阈值电压(Vgs(th)):3.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 224nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输出电容(Coss) | 1315pF | |
连续漏极电流(Id) | 140A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA |