导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,13.5A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):1400pF@25V,连续漏极电流(Id):27A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,13.5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 120W | |
输入电容(Ciss) | 1400pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 27A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |