反向传输电容(Crss):172pF@20V,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):240W,输入电容(Ciss):5100pF@20V,输出电容(Coss):1300pF,连续漏极电流(Id):300A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 输入电容(Ciss) | 5100pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 1300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |