反向传输电容(Crss):172pF@20V,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):240W,输入电容(Ciss):5100pF@20V,连续漏极电流(Id):300A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 172pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 240W | |
输入电容(Ciss) | 5100pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 300A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |