反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):63nC,漏源电压(Vdss):55V,类型:-,耗散功率(Pd):3.8W,输入电容(Ciss):1200pF,输出电容(Coss):520pF,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 输出电容(Coss) | 520pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |