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1个N沟道耐压:80V 电流:120A

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品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
厂家型号: STB140NF75T4-VB
商品编号: C18212552
商品封装: TO-263
商品毛重: 0.003395千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):81nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):3330pF,输出电容(Coss):1395pF,连续漏极电流(Id):120A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	95pF
导通电阻(RDS(on))	10mΩ@4.5V,30A
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	81nC@10V
漏源电压(Vdss)	80V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	120W
输入电容(Ciss)	3330pF
输出电容(Coss)	1395pF
连续漏极电流(Id)	120A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4.5V@250uA