反向传输电容(Crss):22.4pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):97.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):229W,输入电容(Ciss):5763pF,输出电容(Coss):485.1pF,连续漏极电流(Id):176A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 22.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 97.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 229W | |
| 输入电容(Ciss) | 5763pF | |
| 输出电容(Coss) | 485.1pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 176A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |