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ASB80R750E
扩展库- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 厂家型号
- ASB80R750E
- 商品编号
- C18723002
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.002187千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):0.92pF,导通电阻(RDS(on)):750mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18.5nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):850.8pF,输出电容(Coss):34.4pF,连续漏极电流(Id):8.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 850.8pF | |
| 输出电容(Coss) | 34.4pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.39/个 |
| 10+ | ¥4.36/个 |
| 30+ | ¥3.85/个 |
| 100+ | ¥3.34/个 |
| 500+ | ¥2.92/个 |
| 800+ | ¥2.76/个 |
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